技術(shù)編號(hào)：6926613
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)器(Memory)的制造方法，且特別是涉及一種自行對(duì)準(zhǔn)(Self-aligned)位線接觸窗(Bit line Contact)與節(jié)點(diǎn)接觸窗(Node Contact)的制造方法。在現(xiàn)行的半導(dǎo)體制造方法中，自行對(duì)準(zhǔn)接觸窗(Self-aligned Contact；SAC)制造方法常用來增加接觸窗的對(duì)準(zhǔn)裕度(Alignment Margin)。自行對(duì)準(zhǔn)接觸窗制造方法的步驟如下首先，形成上方有一帽蓋層(Cap Layer)的金屬氧化物半導(dǎo)體(...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。