技術(shù)編號(hào):6926676
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。背景技術(shù)電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)是一種利用具有在特定電壓下顯著改變的 可變電阻的材料的電阻改變特性的非易失性存儲(chǔ)裝置。在一個(gè)示例中,所述 材料可以為過(guò)渡金屬氧化物。當(dāng)將設(shè)置電壓施加到可變電阻材料時(shí),所述可 變電阻材料的電阻減小。該狀態(tài)被稱為ON狀態(tài)。當(dāng)將重置電壓施加到可變 電阻材料時(shí),所述可變電阻材料的電阻增加。該狀態(tài)被稱為OFF狀態(tài)。在傳 統(tǒng)的RRAM中,多層交叉點(diǎn)(multi-layer cross point)RRAM具有相對(duì)簡(jiǎn)...
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