技術(shù)編號：6929872
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種雙極晶體管、雙極晶體管的形成方法 和驅(qū)動雙極晶體管的方法以及包含雙極晶體管的虛擬接地電路和二倍硅帶隙電壓電路。背景技術(shù)雙極晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu)PNP型和NPN型，由兩個背靠背的PN結(jié)組成。在這 三層半導(dǎo)體中，中間一層叫基區(qū)(b)，左右兩層分別叫發(fā)射區(qū)(e)和集電區(qū)(C)。發(fā)射區(qū)和 基區(qū)間形成發(fā)射結(jié)，集電區(qū)和基區(qū)間形成集電結(jié)。雙極晶體管的結(jié)構(gòu)和制造方法的研究由來已久，常見的雙極晶體管的結(jié)構(gòu)和制造 方法可以參考中國專利申請第911...
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