技術編號：6930516
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于半導體光電探測器件領域，具體涉及一種以石英為襯底，以納米 Ti02薄膜為基本紫外光探測材料，以Ni為金屬電極的背入射式紫外光探測器及 其制備方法。背景技術紫外光探測器具有抗干擾能力強和適用于惡劣環(huán)境(如高溫環(huán)境)等優(yōu)良特 性，在科研、軍事、航天、環(huán)保、防火和許多工業(yè)控制領域具有重要應用價值。傳統(tǒng)的紫外光探測器主要以硅基紫外光電管和光電倍增管等為主，它們雖然 靈敏度高，但是存在需附加濾光片或體積大、易損壞、需在高電壓下工作等缺點， 難以滿足現(xiàn)代電子...
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