技術(shù)編號(hào)：6930698
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子器件，尤其是一增強(qiáng)型碳化硅金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 及其制造方法。 背景技術(shù)金屬一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管在射頻/微波系統(tǒng)中可完成功率產(chǎn)生、功率放 大、相移、混頻、調(diào)制、解調(diào)以及開關(guān)等模擬和數(shù)字電路的所有功能。作為微波器件代表之一的MESFET (場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 一直受到人們的重視，在過去，由 于III-V族化合物的高電子遷移率，已經(jīng)制造出了 n型ffl-V族化合物如砷化 鎵(GaAs)的最高頻率的MESFET。雖然提供的這些器件提高了工作頻率并適...
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