技術(shù)編號(hào):6930742
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件,它是一種具有垂直溝道結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,本發(fā)明還涉及它的制備方法。垂直溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(vertical FET)技術(shù)是一種新的實(shí)現(xiàn)小尺寸MOSFET的方法。它的溝道長(zhǎng)度是由硅臺(tái)刻蝕、離子注入或者外延來(lái)決定的,而不象傳統(tǒng)的平面MOSFET那樣是通過(guò)光刻來(lái)定義的,因而無(wú)須借助于復(fù)雜的光刻手段就可以很容易的實(shí)現(xiàn)短溝道器件的制作,其工藝和平面MOSFET技術(shù)也完全兼容。垂直溝道器件被學(xué)術(shù)界和工業(yè)界認(rèn)為是繼平面MOSFET之后的最有潛力的...
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