技術編號:6931124
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件制造領域,特別涉及一種碰撞電離金屬氧化物半導體 (I-MOS, Impact-Ionization M0S)晶體管及制造方法。背景技術I-MOS晶體管是一種在柵極區(qū)域具有PIN 二級管特性的晶體管,其通過調節(jié)晶體 管溝道長度工作。I-MOS晶體管的工作性能主要通過兩個參數(shù)來體現(xiàn)柵極長度(Lg,gate Length)和襯底長度(Lin, intrinsic Length)。其中,Lin表示的為I-MOS晶體管的襯底 沒有被柵極覆蓋區(qū)域的...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。