技術(shù)編號(hào)：6931141
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，特別是一種基于氮化鎵材料的新型結(jié)構(gòu)紫外雙 色探測器。背景技術(shù)近年來，三族氮化物材料(GaN、A1N、InN, AlGaN, InGaN)由于其禁帶寬度大、光譜 范圍可調(diào)并可以覆蓋從紫外光到紅外光全波段，以及高溫高輻射耐受性好等突出的優(yōu)點(diǎn)， 在光電子和微電子領(lǐng)域中得到廣泛的應(yīng)用，被稱為第三代半導(dǎo)體?；诘壊牧系淖贤?探測器與硅材料紫外探測器相比，具有可見光盲、量子效率高、可以工作在高溫及苛刻環(huán)境 中等無法替代的優(yōu)勢(shì)，在導(dǎo)彈預(yù)警、火箭...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。