技術(shù)編號(hào)：6932348
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，尤其是涉及一種非對(duì)稱耦合量子阱為有源區(qū)的氮 化物發(fā)光器件，諸如發(fā)光二極管(LED)或激光二極管((LD)。 背景技術(shù)GaN基材料是指GaN、 InN、 A1N以及它們的三元和四元化合物，屬于直接帶隙半導(dǎo)體 材料，具有優(yōu)異的機(jī)械和化學(xué)性能，室溫下其發(fā)光波長(zhǎng)涵蓋了近紅外、可見以及深紫外波段。 基于GaN基材料制作的半導(dǎo)體發(fā)光器件在大屏幕全色顯示、照明、信息存儲(chǔ)以及醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域 具有廣闊的應(yīng)用前景。目前，氮化物發(fā)光器件主要采用多量子阱...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。