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      避免低介電常數(shù)介電層劣化的方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號(hào):6935575

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      本發(fā)明是提供一種避免低介電常數(shù)(low k)介電層發(fā)生介電特性劣化的方法。由于在金屬內(nèi)連線(xiàn)間所產(chǎn)生的RC時(shí)間延遲是由金屬導(dǎo)線(xiàn)的電阻值(R)與金屬導(dǎo)線(xiàn)間的介電層的寄生電容(C)的相乘積,故減少RC時(shí)間延遲的方法可利用電阻值較低的金屬做為金屬導(dǎo)線(xiàn),或者是降低金屬導(dǎo)線(xiàn)間介電層的寄生電容。在降低電阻方面,使用純銅作為導(dǎo)線(xiàn)材料的銅連結(jié)線(xiàn)技術(shù)(copperinterconnect technology)以取代傳統(tǒng)的鋁銅合金[Al∶Cu(0.5%)]為主要材料的多重金屬...
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