技術編號：6936785
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是有關于一種制作半導體元件的方法，且特別是有關于一種。低介電常數(shù)材料包括像是HSQ(氫化硅倍半氧化物)、FSG(摻氟的氧化硅)以及CORAL(摻碳的氧化硅)的無機材料，以及像是flare(聚芳香烯醚)、SILK(芳香族碳氫化合物)以及二甲苯塑料等有機材料。在一種傳統(tǒng)用來形成鑲嵌開口的工藝是先形成介層洞，如附圖說明圖1所示，此方法會在預先提供的基底100之間的內連線(未顯示)上形成一層蓋氮化物層，之后依序在蓋氮化物層上形成第一低介電常數(shù)介電層104、阻...
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