技術(shù)編號：6938319
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及硅半導(dǎo)體制造，特別涉及。 背景技術(shù)在半導(dǎo)體器件制作工藝中，隨著半導(dǎo)體器件的高密度化和高集成化，采用多層 金屬內(nèi)連線工藝已成為許多集成電路所必須采用的方式。因此，實(shí)現(xiàn)硅襯底有源區(qū)與第 一層金屬層的電連接的接觸孔和實(shí)現(xiàn)各金屬層之間的電連接的通孔等用于層之間的電連 接的埋入技術(shù)變得越來越重要。在接觸孔的制作過程中，一般先在位于層之間的介電層上刻蝕出過孔并填充 Al、W、Cu等金屬以實(shí)現(xiàn)插塞(plug)。但是由于Al、W、Cu等金屬與介電層的粘附性 較差...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。