技術(shù)編號(hào):6940806
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種基于氮化物的半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)。在基于氮化物的半導(dǎo)體 LED中,將優(yōu)先發(fā)光的ρ電極焊盤周圍的面積擴(kuò)大,以提高光提取效率,并且防止局部電流 擁擠(local currentcrowding),以減小驅(qū)動(dòng)電壓。背景技術(shù)由于諸如GaN的III-V族氮化物半導(dǎo)體具有良好的物理及化學(xué)特性,所以它們被 認(rèn)為是發(fā)光裝置(例如,發(fā)光二極管(LED)或激光二極管(LD))的基本材料。由III-V族氮 化物半導(dǎo)體形成的LED或LD被廣泛地用在發(fā)光裝置中,...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。