技術(shù)編號(hào)：6941696
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，主要是一種在GaSb襯底上生長(zhǎng)HPT結(jié)構(gòu)的InAs/GaSb超晶格紅外探測(cè)器。背景技術(shù)隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，以軍用為核心的紅外探測(cè)器逐漸發(fā)展起來，目前在戰(zhàn)略預(yù) 警、戰(zhàn)術(shù)報(bào)警、夜視、制導(dǎo)、通訊、氣象、地球資源探測(cè)、工業(yè)探傷、醫(yī)學(xué)、光譜、測(cè)溫、大氣監(jiān)測(cè) 等軍用和民用領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。但是目前最常用的硅摻雜探測(cè)器、InSb、QWIP、MCT等紅外探測(cè)器，都要求在低溫下 工作，需要專門的制冷設(shè)備，造價(jià)昂貴，因而應(yīng)用受到限制。而InAs/GaS...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。