技術(shù)編號：6942093
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體裝置的制造方法，尤其涉及一種溝槽式金屬氧化物半導體場效應晶體管(trench M0SFET)的制造方法。背景技術(shù)高壓元件技術(shù)適用于高電壓與高功率的集成電路領(lǐng)域，傳統(tǒng)功率晶體管為達高耐壓高電流的設計，元件電流流向由平面結(jié)構(gòu)設計為垂直結(jié)構(gòu)。隨著芯片技術(shù)性的突破功率晶體管也有不同的做法，目前在極低壓功率晶體管技術(shù)發(fā)展有溝渠式柵極配合多樣化工藝結(jié)構(gòu)功率晶體管(Trench M0SFET)。由于溝槽式場效應晶體管能夠有效地降低產(chǎn)品的導通電阻，并且...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。