技術編號:6942379
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及例如CMOS圖像傳感器等。 背景技術近年來,半導體攝像器件特別是CMOS圖像傳感器,其微細化在發(fā)展,在1.4μπι節(jié) 距以下,一般使用銅(Cu)作為布線。使用了 Cu布線的攝像器件,為了防止Cu的擴散和氧 化,在Cu布線上形成由Si3N4構成的蓋層。該SiN蓋層使透光率下降。因此,在像素區(qū)域 中,去除光路上的SiN蓋層。另一方面,在像素區(qū)域的周圍,配置著構成與像素區(qū)域基本相同的偽像素區(qū)域、用 于生成黑標準信號的黑標準區(qū)域、邏輯信號處理區(qū)域、及作為...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。