技術編號：6943215
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體領域，更具體地，涉及一種半導體器件及其制造方法，特別是包括替代柵的半導體器件的制作方法以及利用所述方法制作出的半導體器件。背景技術隨著半導體器件的尺寸越來越小，接觸孔(CA)及相應的接觸部也越來越小，且相互間的距離也隨之減小。利用傳統(tǒng)工藝制造較小的接觸孔/接觸部存在以下一些問題(1) 由于柵上的刻蝕深度與源/漏區(qū)中的刻蝕深度不同，容易造成接觸孔與柵之間的短路；(2) 由于源/漏區(qū)中的刻蝕深度較深且開口較小(即，具有較小的寬高比)，可能會引起...
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