技術(shù)編號：6946184
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導體集成電路制造，具體涉及一種快閃存儲器的電容結(jié)構(gòu) 和制備方法，尤其涉及基于金屬納米晶和高介電常數(shù)介質(zhì)的新型異質(zhì)電荷俘獲層及制備方 法。背景技術(shù)隨著半導體工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，非揮發(fā)性快閃存儲器集成密度越來越高、操作 電壓越來越低，這就驅(qū)使器件特征尺寸持續(xù)減小，在65nm技術(shù)節(jié)點之后傳統(tǒng)的多晶硅浮柵 結(jié)構(gòu)出現(xiàn)了一系列的問題，極大地影響了器件存儲的性能，諸如擦寫速度慢，工作電壓高等 [1]。基于非連續(xù)電荷俘獲機理(如納米晶、SONOS存儲器等)的新...
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