技術編號：6947940
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種SOI高壓功率器件的制備方法，特別涉及一種具有溝槽結構的 SOI高壓功率器件芯片的制備方法。背景技術功率集成電路有時也稱高壓集成電路，是現(xiàn)代電子學的重要分支，可為各種功率 變換和能源處理裝置提供高速、高集成度、低功耗和抗輻照的新型電路，廣泛應用于電力控 制系統(tǒng)、汽車電子、顯示器件驅(qū)動、通信和照明等日常消費領域以及國防、航天等諸多重要 領域。其應用范圍的迅速擴大，對其核心部分的高壓器件也提出了更高的要求。由于功率集成電路常常結合了高壓功率晶體管...
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