技術(shù)編號：6948426
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明有關(guān)于半導(dǎo)體裝置，且特別是有關(guān)于β增益提高的半導(dǎo)體雙極接面晶體管裝置。背景技術(shù)半導(dǎo)體雙極接面晶體管(bipolar junction transistor ；BJT)裝置能通過控制施加至基極端與集極端的電壓而操作成順向主動模式(forward-active mode)。舉例來說， NPN型雙極接面晶體管裝置具有P型基極區(qū)及N型集極區(qū)與射極區(qū)，于操作時，可分別于基極端與集極端施加正電壓Vbe與比Vbe還高的正電壓VCE。射極-基極接面可因而為順向偏壓，...
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