技術(shù)編號(hào)：6948484
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種DMOS器件，本發(fā)明還涉及該DMOS器件制造方法。背景技術(shù)高壓DMOS是BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工藝中的重要器件之一，其特性的重要標(biāo)準(zhǔn)是擊穿電壓(包括截止態(tài)擊穿電壓和導(dǎo)通態(tài)擊穿電壓)和導(dǎo)通電阻，DMOS的器件優(yōu)化主要都是圍繞提高擊穿電壓和降低導(dǎo)通電阻上。截止態(tài)擊穿電壓的提高和熱電子效應(yīng)的降低可由漂移區(qū)摻雜濃度的降低來實(shí)現(xiàn)，可是導(dǎo)通態(tài)擊穿電壓的提高則要通過適當(dāng)增加漂移區(qū)的摻雜、減小大注入效...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。