技術(shù)編號(hào)：6948488
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，尤其涉及。背景技術(shù)GaN HEMT作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料器件，具有輸出功率高、耐高溫的特點(diǎn)，具有廣泛的應(yīng)用前景。柵槽刻蝕技術(shù)，作為提高GaN HEMT器件跨導(dǎo)，提升功率輸出的一種有效手段，已被廣泛應(yīng)用于GaN HEMT器件生產(chǎn)工藝流程中。但由于需要刻蝕掉的GaN帽層很薄，同時(shí)二維電子氣也很容易被刻蝕所破壞，這就要求柵槽刻蝕具有淺距離、低損傷的特點(diǎn)，同時(shí)還要求很好的均勻性和可重復(fù)性。GaN HEMT器件柵槽刻蝕過程對(duì)刻蝕條件十分敏感...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。