技術(shù)編號：6951408
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種集成電路制造技術(shù)，具體涉及一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件LDMOS的制造方法。背景技術(shù)在功率及高壓集成電路中，常常會利用低壓倒置阱注入來作為高壓LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件)的體區(qū)(body)注入(如圖1所示)。倒置阱注入一般包括高能量的阱注入和低能量的開啟電壓調(diào)節(jié)注入。在注入中使用的光刻膠厚度都大于0. 5微米，且LDMOS器件的體區(qū)圖形密度都比較低，所以LDMOS的光刻膠窗口邊沿的傾斜角度一般都很大，而且光刻膠傾斜角度會隨著...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。