技術(shù)編號：6952107
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種。背景技術(shù)隨著鍺硅(SiGe)工藝的日益成熟，射頻電路集成也越來越普遍，射頻接受、射頻發(fā)射以及開關等都趨向集成，因此放大接受信號的低噪聲放大器(LNA)和放大發(fā)射信號的功率放大器(PA)都應制作在同一芯片上，為了提高雙極晶體管器件的工作頻率，需要最大化雙極晶體管器件的最大震蕩頻率(Fmax)。其計算公式為τ-/ ft \1/2_3] Anax = I"-^)《略dBC其中，ft為雙極晶體管器件的特征頻...
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