技術(shù)編號：6958454
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成，尤其涉及。背景技術(shù)半導(dǎo)體技術(shù)作為信息產(chǎn)業(yè)的核心和基礎(chǔ)，被視為衡量一個國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步和綜合國力的重要標(biāo)志。在過去的40多年中，硅基集成技術(shù)遵循摩爾定律通過縮小器件的特征尺寸來提高器件的工作速度、增加集成度以及降低成本，微電子器件的特征尺寸已經(jīng)由微米尺度縮小到納米尺度。但是當(dāng)MOS器件的柵長減小到90納米后，柵氧化層的厚度將小于1. 2納米，傳統(tǒng)硅基微電子集成技術(shù)開始面臨來自物理與技術(shù)方面的雙重挑戰(zhàn)。采用高遷移率溝道材料替代傳統(tǒng)硅材料將...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。