技術(shù)編號(hào):6959322
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,特別涉及。 背景技術(shù)閃存的標(biāo)準(zhǔn)物理結(jié)構(gòu)稱(chēng)為閃存單元(bit)。閃存單元的結(jié)構(gòu)與常規(guī)MOS晶體管不同。常規(guī)的MOS晶體管的柵極(gate)和導(dǎo)電溝道間由柵極絕緣層隔開(kāi),一般為氧化層 (oxide);而閃存在控制柵(CG control gate,相當(dāng)于常規(guī)的MOS晶體管的柵極)與導(dǎo)電溝道間還具有浮柵(Refloating gate)。由于浮柵的存在,使閃存可以完成三種基本操作模式即讀、寫(xiě)、擦除。即便在沒(méi)有電源供給的情況下,浮柵的存在可以...
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