技術(shù)編號(hào)：6960061
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的工藝方法，特別地涉及一種提高打開(kāi)多晶柵頂化學(xué)機(jī)械平坦化工藝均勻性的方法。背景技術(shù)高K/金屬柵工程在45納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)上的成功應(yīng)用，使其成為30納米以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)不可缺少的關(guān)鍵模塊化工程。目前，只有堅(jiān)持高K/后金屬柵(gate last)路線(xiàn)的英特爾公司在45納米和32納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)上取得了成功。近年來(lái)，緊隨IBM產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的三星、臺(tái)積電、英飛凌等業(yè)界巨頭也將之前研發(fā)重點(diǎn)由高K/先金屬柵(gate first)轉(zhuǎn)向gate Ias...
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該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。