技術(shù)編號：6975142
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總的涉及一種形成電介質(zhì)復(fù)合材料層的方法，更具體地說涉及一種形成ONO復(fù)合材料層的四氮化三硅薄膜的方法，此復(fù)合層用作極間電介質(zhì)。背景技術(shù) 包含具有二氧化硅/四氮化三硅/二氧化硅層的ONO電介質(zhì)結(jié)構(gòu)的極間電介質(zhì)結(jié)構(gòu)是已知的技術(shù)。ONO電介質(zhì)用于制造非易失存儲器件例如EPROM(電可編程只讀存儲器)，EEPROM(電可擦可編程只讀存儲器)，F(xiàn)LASH及其他電容器器件。在已有技術(shù)中，非易失存儲器器件通常包括一系列存儲單元。每一存儲單元包括形成在基底表面上的源...
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