技術(shù)編號：6980402
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體功率器件，涉及受可動離子沾污影響的硅制高壓功率器件，特別適用于硅制超結(jié)縱向雙擴(kuò)散金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(Superjimction VDM0S,即超結(jié)VDM0S，一下均簡寫為超結(jié)VDM0S)，更具體的說，涉及一種在高溫反偏條件下具有高可靠性的硅制超結(jié)VDMOS的終端結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)目前，功率器件在日常生活、生產(chǎn)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛，特別是功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于它們擁有較快的開關(guān)速度、較小的驅(qū)動電流、較寬的安全工作區(qū)，因此...
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