技術(shù)編號(hào)：6980686
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及的是一種具有高抗閂鎖特性的溝槽型IGBT器件結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體制造工藝。背景技術(shù)溝槽型IGBT器件是一種先進(jìn)的IGBT器件類(lèi)型，它將MOS控制結(jié)構(gòu)從硅表面移到垂直溝道內(nèi)，并消除了平面型IGBT器件的寄生JFET效應(yīng)，從而可以在達(dá)到相同的器件電流能力前提下，以相近的工藝成本來(lái)縮小器件面積，提高器件性?xún)r(jià)比。然而，通常的溝槽型IGBT的抗閂鎖特性通常較差，而且安全工作區(qū)(SOA)也較窄， 原因是如果像制造平面型器件那樣在IGBT的P型發(fā)射區(qū)中央底部采...
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