技術(shù)編號(hào)：6989802
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子領(lǐng)域。更具體地，本發(fā)明涉及用于制造半導(dǎo)體薄片/晶片的裝置以及利用分子束通過蒸發(fā)(揮發(fā)、升華)來沉積材料以制造半導(dǎo)體薄片的裝置。背景技術(shù)大多數(shù)電子和微電子部件例如磁儲(chǔ)存器、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CM0Q電路或處理器都是借助大量非常高純度的材料薄層制成的。沉積的材料例如為導(dǎo)體(金屬)、半導(dǎo)體(例如硅、鍺、III-V或II-VI族化合物)或絕緣體(例如氧化物、氮化物)。它們沉積至硅或鍺或其它材料的基片上。所述基片是圓盤狀的并具有200mm(毫米)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。