技術(shù)編號(hào)：6990434
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種光伏裝置及生產(chǎn)方法。 背景技術(shù)光伏裝置可包括沉積在基底上的半導(dǎo)體材料，例如，半導(dǎo)體材料具有用作窗口層的第一層及用作吸收層的第二層。半導(dǎo)體窗口層可允許太陽輻射穿透到將太陽能轉(zhuǎn)換成電的吸收層(例如，碲化鎘層)。光伏裝置還可包括一個(gè)或多個(gè)透明的導(dǎo)電氧化物層，所述一個(gè)或多個(gè)透明的導(dǎo)電氧化物層通常還作為電荷的導(dǎo)體。附圖說明圖1是用于從光伏模塊去除材料的系統(tǒng)的示意圖；圖2是用于從光伏模塊去除材料的系統(tǒng)的示意圖；圖3是用于從光伏模塊去除材料的系統(tǒng)的示意圖；...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。