技術(shù)編號(hào)：6990463
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。使用結(jié)合選擇性外延生長(zhǎng)的混合定向技術(shù)(HOT)提高遷移率的方法及相關(guān)設(shè)備本發(fā)明大體上針對(duì)集成電路。更特定來說，本發(fā)明針對(duì)使用結(jié)合選擇性外延生長(zhǎng)的混合定向技術(shù)(HOT)來提高遷移率的方法及相關(guān)設(shè)備。背景技術(shù)互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CM0Q電路通常形成在具有(100)結(jié)晶定向的硅襯底上?；旌隙ㄏ蚣夹g(shù)(HOT)使用單個(gè)襯底上的不同的結(jié)晶定向。舉例來說，混合定向技術(shù)可將(100)結(jié)晶定向襯底與在相同的半導(dǎo)體晶片上的(110)結(jié)晶定向襯底混合。此通常經(jīng)進(jìn)行以幫助提高...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。