技術(shù)編號：6991008
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及碳化硅(SiC)單晶晶片及其制造方法，該單晶晶片預期可作為高耐壓和低損失半導體器件材料或在高溫或輻射線環(huán)境下等使用的耐環(huán)境用半導體器件材料利用。更具體而言，本發(fā)明涉及可實現(xiàn)高可靠性和高生產(chǎn)率SiC半導體器件的SiC單晶晶片及其制造方法。背景技術(shù)碳化硅(SiC)是熱和化學穩(wěn)定的化合物半導體中的ー種。SiC與硅(Si)相比具有帶隙大大約3倍、絕緣破壞電壓大大約10倍、電子飽和速度大大約2倍、熱傳導率大大約3 倍這樣的物性特征。由于這種優(yōu)異的特征，Si...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。