技術(shù)編號(hào)：6991096
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種改進(jìn)的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，且特別涉及一種減小柵極電流的方法。背景技術(shù)可以采用與用于制造雙極晶體管的工藝類似且兼容的制造工藝來制造結(jié)型場(chǎng)效 應(yīng)晶體管，JFET。例如可由雙極晶體管的集電極形成JFET的背柵(也稱作底柵)。漏極和源極在與用于形成雙極晶體管的基極區(qū)域相同的制造步驟中形成。JFET可以形成為P溝道或N溝道器件。理想地，F(xiàn)ET應(yīng)該沒有柵極電流。但是當(dāng)器件內(nèi)的電流密度相對(duì)較大且器件的漏極-源極電壓相對(duì)較大時(shí)，實(shí)際器件(尤其是N溝道JFET)...
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