技術(shù)編號(hào)：6992943
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體上涉及存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)器陣列，尤其涉及具有加熱元件的存儲(chǔ)器件。背景技術(shù) 磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)技術(shù)使用存儲(chǔ)單元，例如磁隧道結(jié)(MTJ，magnetic tunnel junction)。每個(gè)磁隧道結(jié)通常具有至少兩個(gè)磁性區(qū)或者磁性層，在磁性區(qū)或者磁性層之間有電絕緣阻擋層。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)機(jī)制依賴于所述兩個(gè)層的磁化的相對(duì)定向，以及通過連接到所述層的電極識(shí)別這種定向的能力。作為背景技術(shù)，可以參考美國專利5,650,958和5,640,343(專利權(quán)人Gal...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。