技術編號：6993750
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于CMOS超大集成電路(ULSI)中的場效應晶體管邏輯器件與電路領 域，具體涉及一種結合雜質分凝肖特基(Dopant-kgregated Schottky)和帶帶隧穿 (Band-to-BandTunneling)的復合源MOS晶體管及其制備方法。背景技術隨著金屬-氧化物-硅場效應晶體管(MOSFET)的特征尺寸進入到納米尺度，器 件的短溝道效應等負面影響也愈加嚴重。漏致勢壘降低(DIBL)等效應使得器件關態(tài)漏 泄電流不斷增大，伴隨著器件閾值電壓降...
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