技術(shù)編號:6996537
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)計及制造,特別涉及一種應(yīng)變GeOI (絕緣體上Ge) 結(jié)構(gòu)及其形成方法。背景技術(shù)長期以來,金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的特征尺寸一直遵循著所謂的摩爾定律(Moore’ s law)不斷按比例縮小,其工作速度越來越快,但是,對于基于Si材料本身的而言,已經(jīng)接近于物理與技術(shù)的雙重極限。因而,人們?yōu)榱瞬粩嗵嵘?MOSFET器件的性能提出了各種各樣的方法,從而MOSFET器件的發(fā)展進入了所謂的后摩爾 (More-Than-Mo...
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