技術(shù)編號：6996913
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及TSV(Thr0ugh Silicon Via，硅通孔)的芯片三維集成技術(shù)，具體涉及一種TSV鍵合層結(jié)構(gòu)的設(shè)計，屬于微電子。背景技術(shù)如今的半導(dǎo)體工業(yè)界普遍認(rèn)為，基于TSV的芯片三維集成技術(shù)，是可以使芯片繼續(xù)沿著摩爾定律的藍(lán)圖向前發(fā)展的重要技術(shù)之一。對于TSV芯片的堆疊，目前普遍且可靠的方法之一是，微凸點(diǎn)(micro bump)間通過焊料進(jìn)行金屬間的鍵合，形成金屬間化合物 (IMC)。IMC的熔點(diǎn)較高，可以再進(jìn)行與另外一層芯片的鍵合。如圖1所示，1...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。