技術(shù)編號：6997802
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種消除柵極側(cè)壁再沉積的方法，以及一種采用所述消除柵極側(cè)壁再沉積的方法而得到的半導體器件。背景技術(shù)在半導體制造工藝過程中，為了形成期望的柵極結(jié)構(gòu)，不可避免地需要用到刻蝕工藝。然而，在利用例如干法刻蝕工藝來刻蝕柵極的過程中，尤其是在制造比較復雜的柵極結(jié)構(gòu)的刻蝕過程中，現(xiàn)有技術(shù)存在一些問題。具體地說，一般的，在采用了材料鎢(W) 的MOSFET(金屬-氧化物-半導體)場效應晶體管的柵極的蝕刻工藝過程中，由于基于鎢...
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