技術(shù)編號：6999734
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，特別涉及一種場效應(yīng)晶體管。背景技術(shù) 隨著器件特征尺寸的不斷等比例縮小，器件的短溝道效應(yīng)，漏致勢壘降低(DIBL)效應(yīng)及熱載流子效應(yīng)日趨嚴(yán)重，使器件性能退化。器件的短溝道效應(yīng)主要是由于隨著溝道長度的減小出現(xiàn)電荷共享，即柵下耗盡區(qū)電荷不再完全受柵控制，其中有一部分受源、漏控制，而且隨著溝道長度的減小，受柵控制的耗盡區(qū)電荷減少，更多的柵壓用來形成反型層，使得達到閾值的柵壓不斷降低。致使器件的閾值電壓漂移增大、關(guān)態(tài)泄漏電流增加，器件的靜態(tài)功耗...
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