技術(shù)編號:6999801
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種在LED (發(fā)光二極管)外延片表面制備二氧化鈦(TiO2)納米柱陣列的方法,屬于光電子。背景技術(shù)二十世紀(jì)九十年代初,以氮化物為代表的第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料獲得了歷史性突破,在GaN基材料上成功地制備出綠色、藍(lán)色和紫色LED,使得LED白光照明成為可能。隨著GaN基LED性能的不斷提高,用短波長LED加熒光粉制備的白光LED發(fā)光效率得到大幅度的提高,現(xiàn)已被業(yè)界公認(rèn)為是可以替代白熾燈、熒光燈等傳統(tǒng)照明燈具的所謂綠色照明光源。目前已被廣泛應(yīng)用于景觀...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。