技術(shù)編號：7001765
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件一比如反向阻斷IGBT(IGBT 絕緣柵雙極型晶體管)——的制造方法。尤其是，本發(fā)明涉及一種形成有反向阻斷IGBT的分離層的制造方法。背景技術(shù)附圖說明圖18A至18C示出一種以往已知的反向阻斷IGBT的制造方法，是以步驟為順序示出主要部分制造步驟的剖視圖。其中，具有1200V的阻斷電壓的反向阻斷IGBT作為一個例子被給出。在圖18A中，厚度大約為400 μ m的硅晶片91a(以后簡稱為“晶片91a”)的正面 92被具有開口 96的掩...
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