技術(shù)編號：7001924
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及。背景技術(shù)在半導(dǎo)體器件中，減小RC(resistance capacitance delay)延遲,可以提高半導(dǎo)體器件的性能。隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)在摩爾定律的驅(qū)動下持續(xù)地朝更小的工藝節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)，工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)入到65納米、45納米,甚至更低的32納米。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，器件的功能不斷強(qiáng)大，器件的集成度越來越高，器件的特征尺寸(criticaldimension,CD)越來越小。器件的特征尺寸越來越小，器件的集成度越來...
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