技術(shù)編號(hào)：7002628
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制備Sn-Ag-h三元無鉛倒裝凸點(diǎn)的方法，屬于高密度微電子封裝領(lǐng)域。背景技術(shù)倒裝芯片封裝技術(shù)具有許多優(yōu)點(diǎn)，如最高的輸入/輸出端數(shù)能力、針對(duì)不同性能要求基板的可適應(yīng)性、通常提供可能最短的引線、最小的電感、最高的頻率、最好的噪聲控制、最小的器件外形以及最低的器件安裝高度，因而在封裝技術(shù)向高密度化、小型化、集成化演變過程中扮演著舉足輕重的角色。倒裝芯片封裝技術(shù)中凸點(diǎn)的制備尤為關(guān)鍵。在UBM(Under Bump Metallization) 上形成...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。