技術(shù)編號：7002682
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制備，特別是涉及一種改善先柵極工藝中高K柵電介質(zhì)PMOS負偏置溫度不穩(wěn)定性效應的方法。背景技術(shù)為提高器件性能，降低柵極漏電流，高K柵電介質(zhì)技術(shù)已經(jīng)應用到45納米以下節(jié)點。然而，由于高K柵電介質(zhì)與硅的界面具有大量的界面態(tài)，這些界面態(tài)在半導體制程中會與氫形成不穩(wěn)定的化學鍵，而這些不穩(wěn)定的氫鍵在PMOS器件工作過程中會產(chǎn)生大量界面態(tài)，從而改變PMOS性能。使得高K柵電介質(zhì)的PMOS器件具有很嚴重的負偏置溫度不穩(wěn)定性(NBTI— Negative ...
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