技術(shù)編號(hào)：7004063
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體制作過程，且特別是有關(guān)于一種晶圓表面離子取樣裝置及方法。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體晶圓的制作過程中，最重要的問題就是晶圓表面的污染問題。一般而言，附著于晶圓表面的污染物包括有機(jī)化合物、金屬雜質(zhì)及離子污染。而這些污染物會(huì)對(duì)于產(chǎn)品后續(xù)制作過程的影響非常大。舉例來說，這些污染物可能會(huì)造成組件p-n接面的漏電、縮減少數(shù)載子的生命期、降低閘極氧化層的崩潰電壓、金屬導(dǎo)線腐蝕等問題，而導(dǎo)致半導(dǎo)體組件的品質(zhì)及可靠度降低，甚至造成半導(dǎo)體組件失效。因此，在半導(dǎo)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。