技術(shù)編號(hào)：7004580
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及分立半導(dǎo)體器件，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及溝槽接觸型垂直分立半導(dǎo)體器件(vertical discrete semiconductor device with trench contacts)及其制作方法。背景技術(shù)在一些模擬芯片應(yīng)用場(chǎng)合，常常將集成電路晶片和分立器件晶片封裝在一起， 這些分立器件晶片包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (JFET)和/或其他合適的器件。在一些應(yīng)用場(chǎng)合，常常需要把電路晶片和分立器件晶片的接...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。