技術編號：7006671
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種臺面工藝功率晶體管芯片結構，還涉及一種臺面工藝功率晶體管芯片實施方法，屬于電力半導體器件制造。背景技術功率晶體管在中、高壓電力半導體器件芯片的制造中，至今仍廣泛采用臺面工藝制造技術，如附圖說明圖1-4所示，硅圓片正面的溝槽內(nèi)生長了一層30 50um厚的鈍化玻璃膜，由于該玻璃膜的膨脹系數(shù)比硅大很多(一般鈍化玻璃的膨脹系數(shù)為4. 4士0. 4X ΙΟ"6 /°C，而硅的膨脹系數(shù)為2.6X10_6 /°C)，玻璃燒結完成后，正面溝槽內(nèi)的玻璃膜產(chǎn)生了...
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