技術(shù)編號(hào)：7007286
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了一種以三維鰭式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管工藝技術(shù)為基礎(chǔ)的三維單浮柵非易失性存儲(chǔ)器裝置，包含一金屬浮柵和兩個(gè)半導(dǎo)體鰭片。該金屬浮柵通過儲(chǔ)存電荷可改變鰭式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓，該金屬浮柵跨越該兩個(gè)半導(dǎo)體鰭片且形成于耦合介電層及穿隧介電層的上方，而耦合介電層及穿隧介電層形成于該兩個(gè)半導(dǎo)體鰭片的表面上。具有同型雜質(zhì)的其一半導(dǎo)體鰭片形成該單浮柵非易失性存儲(chǔ)器裝置的控制柵。在另一半導(dǎo)體鰭片中，位于該金屬浮柵下方的通道區(qū)被摻雜了相反型雜質(zhì)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。